晶圓檢測設備中的碳化硅零部件應用與技術優勢

   隨著半導體制造制程節點不斷推進至5nm乃至2nm，晶圓檢測（Wafer Inspection）設備在晶圓品質控制與良率提升中扮演著核心角色。檢測設備需在極高精度、超潔凈與穩定的條件下運行，任何微小的顆粒、熱漂移或機械振動都可能造成檢測誤差。因此，設備中結構材料的選擇尤為關鍵。近年來，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）憑借卓越的物理與化學性能，已成為晶圓檢測設備中高性能零部件的首選材料之一。

一、晶圓檢測設備的特性與挑戰

  晶圓檢測設備主要包括外觀檢測（Macro Inspection）、表面缺陷檢測（Surface Defect Inspection）以及光學量測（Optical Metrology）等系統。設備內部結構復雜，通常包含：

  精密運動平臺（Stage）

  光學系統支架（Optical Frame）

  晶圓載臺與吸盤（Wafer Chuck）

  防塵護罩與腔體部件（Enclosure / Chamber Parts）

  這些部件需要在納米級定位精度與極低顆粒污染環境下工作，對材料的熱穩定性、機械剛性、潔凈度與抗腐蝕性均提出極高要求。

  傳統的鋁合金、氧化鋁陶瓷或石英材料，在長期運行中可能因熱變形、靜電積塵或表面磨損導致檢測誤差。而碳化硅憑借其一系列優異性能，完美契合了檢測設備的嚴苛需求。

二、碳化硅材料的關鍵優勢

     這些性能使碳化硅成為晶圓檢測設備中“零形變、零污染、零漂移”的重要結構材料。

三、SiC在晶圓檢測設備中的典型應用

1. SiC晶圓吸盤（Wafer Chuck）
   采用CVD碳化硅制成，表面光潔度可達Ra 0.01 μm，保證晶圓固定時的平整度與穩定性，防止檢測過程中的熱漂移與顆粒脫落。

2. SiC平臺與支撐結構（Stage Base / Frame）
   高剛性與低熱膨脹的特性使SiC成為檢測平臺基座的理想材料，可在溫度波動環境中保持光學系統與機械定位的一致性，確保檢測精度穩定。

3. SiC光學元件支架與隔熱組件
   SiC的高熱導率與尺寸穩定性，使其成為激光掃描與光學測距設備中的理想光學支撐材料，可有效降低系統熱漂移，提升測量重復性。

4. SiC防護罩與內部零件（Shield / Inner Wall）

    SiC材料的化學惰性與耐磨性，保證腔體內部不被腐蝕、無粉塵析出，延長設備維護周期。

四、鈞杰陶瓷的SiC制造與加工能力

    鈞杰陶瓷長期專注于半導體級CVD SiC與SSiC零部件的生產，具備從材料沉積、精密研磨到超潔凈表面處理的完整制造能力：

• 精密加工精度：平面度可達 ≤0.001mm；厚度公差控制在 ±0.001 mm。

• 表面處理工藝：采用納米級鏡面拋光技術，顆粒脫落率低于10??級。

• 潔凈包裝流程：全程Class 100潔凈間操作，確保產品交付即為“可上機”狀態。

• 定制能力：可根據客戶圖紙提供不同尺寸、吸附結構或光學通孔設計的定制化SiC部件。

       隨著晶圓檢測技術向更高分辨率與更高穩定性發展，設備材料的性能已成為影響檢測精度與可靠度的關鍵因素。碳化硅零部件憑借其高剛性、高導熱、低膨脹與高潔凈的特性，正逐步取代傳統材料，成為新一代高端檢測設備的核心基礎。

   鈞杰陶瓷以多年的 SiC制造經驗和先進的精密加工技術，為全球客戶提供高品質SiC晶圓吸盤、檢測平臺、光學支架等關鍵部件解決方案，助力半導體檢測設備實現更精準、更穩定、更潔凈的性能表現。 歡迎咨詢：13712574098